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CCD多晶硅層間復(fù)合絕緣介質(zhì)研究
關(guān)鍵詞：絕緣介質(zhì) 多晶硅 電荷耦合器件
摘要：電荷耦合器件(CCD)多晶硅交疊區(qū)域絕緣介質(zhì)對(duì)成品率和器件可靠性具有重要的影響。將氮化硅和二氧化硅作為CCD多晶硅層間復(fù)合絕緣介質(zhì),采用掃描電子顯微鏡(SEM)和電學(xué)測試系統(tǒng)研究了多晶硅層間氮化硅和二氧化硅復(fù)合絕緣介質(zhì)對(duì)CCD多晶硅柵間距和多晶硅層間擊穿電壓的影響。研究結(jié)果表明,多晶硅層間復(fù)合絕緣介質(zhì)中的氮化硅填充了多晶硅熱氧化層的微小空隙,可以明顯改善絕緣介質(zhì)質(zhì)量。多晶硅層間擊穿電壓隨著氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅會(huì)導(dǎo)致CCD暗電流明顯增大。由于復(fù)合絕緣介質(zhì)質(zhì)量好,可以減小CCD多晶硅的氧化厚度。
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