非磁性半金屬YBi中極大磁電阻及拓?fù)潆娮咏Y(jié)構(gòu)構(gòu)建
關(guān)鍵詞：磁電阻 第一性原理計(jì)算
摘要：通過(guò)自助溶劑法制備YBi單晶,并研究其磁輸運(yùn)行為及電子結(jié)構(gòu).零磁場(chǎng)下, YBi具有金屬導(dǎo)電特性.磁場(chǎng)作用下,低溫電阻將會(huì)極大增強(qiáng),呈現(xiàn)類(lèi)似拓?fù)浣^緣體的電阻平臺(tái).科勒關(guān)系表明YBi中具有多種載流子.第一性原理計(jì)算表明,該材料具有一個(gè)電子帶和兩個(gè)空穴帶,且電子和空穴的數(shù)目大致相當(dāng).此外,我們還發(fā)現(xiàn)YBi具有非平庸的電子能帶結(jié)構(gòu).實(shí)驗(yàn)表征及理論計(jì)算表明,YBi的極大磁電阻來(lái)源于電子-空穴補(bǔ)償效應(yīng)及拓?fù)淠軒ЫY(jié)構(gòu).
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