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非磁性半金屬YBi中極大磁電阻及拓撲電子結構構建
唐昉; 吳子鳴; 林如龍; 房勇; 韓志達; 錢斌; 江學范 常熟理工學院物理與電子工程學院; 江蘇常熟215500; 常熟理工學院江蘇省新型功能材料重點建設實驗室; 江蘇常熟215500
關鍵詞：磁電阻 第一性原理計算
摘要：通過自助溶劑法制備YBi單晶,并研究其磁輸運行為及電子結構.零磁場下, YBi具有金屬導電特性.磁場作用下,低溫電阻將會極大增強,呈現(xiàn)類似拓撲絕緣體的電阻平臺.科勒關系表明YBi中具有多種載流子.第一性原理計算表明,該材料具有一個電子帶和兩個空穴帶,且電子和空穴的數(shù)目大致相當.此外,我們還發(fā)現(xiàn)YBi具有非平庸的電子能帶結構.實驗表征及理論計算表明,YBi的極大磁電阻來源于電子-空穴補償效應及拓撲能帶結構.
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