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      自組裝固體硅量子點(diǎn)中的粒徑分布

      賈旭光; ZHANG; Tian; LIN; Ziyun; CONIBEER; Gavin 常州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 江蘇常州213164; 新南威爾士大學(xué)光伏與可再生能源學(xué)院; 澳大利亞悉尼2052

      關(guān)鍵詞:硅量子點(diǎn) 粒徑分布 光伏 光致熒光 

      摘要:提出了一個(gè)用來定量分析膠體硅量子點(diǎn)光致熒光光譜的模型,得到量子點(diǎn)的粒徑分布,并將此方法應(yīng)用于固體硅量子點(diǎn)材料粒徑分布的分析。結(jié)果表明:與膠體硅量子點(diǎn)相比,固體樣品中硅量子點(diǎn)粒徑分布更寬。這可能是由于固體樣品硅在結(jié)晶過程中水平方向缺乏約束,因此形成的量子點(diǎn)為橢球形。納米硅中粒徑分布太寬會(huì)導(dǎo)致材料帶隙分布變寬。減少量子約束效應(yīng),限制了這些材料在實(shí)際中的應(yīng)用。

      常州大學(xué)學(xué)報(bào)·自然科學(xué)版雜志要求:

      {1}標(biāo)題層次一律用阿拉伯?dāng)?shù)字連續(xù)編號(hào),不同層次的數(shù)字之間加下圓點(diǎn)相隔,最末數(shù)字后不加標(biāo)點(diǎn),如第一級(jí)標(biāo)題用“1”、第二級(jí)標(biāo)題用“1.1”、第三級(jí)標(biāo)題用“1.1.1”等。

      {2}來稿須未公開發(fā)表,不接受一稿多投。

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      常州大學(xué)學(xué)報(bào)·自然科學(xué)版

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