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      IGBT新技術(shù)及發(fā)展趨勢

      張金平; 趙倩; 高巍; 李澤宏; 任敏; 張波 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 四川成都610054

      關(guān)鍵詞:功率開關(guān) 器件結(jié)構(gòu) 封裝技術(shù) 新材料 

      摘要:目前,采用精細(xì)化溝槽柵技術(shù)、薄片加工技術(shù)、場阻技術(shù)和發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)技術(shù)的器件結(jié)構(gòu)已成為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的主流結(jié)構(gòu),同時(shí)新的器件結(jié)構(gòu)技術(shù)、封裝技術(shù)和新材料技術(shù)也成為業(yè)界研究的重點(diǎn)。文章針對近年來有關(guān)IGBT所取得的最新研究進(jìn)展,從器件結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)、國際主要廠商的技術(shù)發(fā)展、新材料器件等方面對IGBT器件新技術(shù)及發(fā)展趨勢進(jìn)行了系統(tǒng)的梳理和概述。

      大功率變流技術(shù)雜志要求:

      {1}注釋:以尾注形式進(jìn)行注釋,在文章中相應(yīng)出處的右上角用①等標(biāo)識(shí)。

      {2}文稿要求:內(nèi)容真實(shí),論點(diǎn)明確,論據(jù)充分,重點(diǎn)突出。說理透徹,文字精練,具有實(shí)用性、真實(shí)性、科學(xué)性和邏輯性。

      {3}中文文題一般在20個(gè)漢字左右,作者姓名及工作單位在文題下,按順序排列。

      {4}書名、期刊名及報(bào)刊名首字母大寫,用斜體;英文文章名除首字母及專用名詞大寫外一律小寫。

      {5}關(guān)鍵詞也叫索引詞,是從論文中選出來用以表示全文主題內(nèi)容的單詞或術(shù)語,要求盡量使用規(guī)范性詞。

      注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社

      大功率變流技術(shù)

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      關(guān)注 7人評(píng)論|0人關(guān)注
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