IGBT：概念、發(fā)展與新結構
Florin; Udrea 劍橋大學; 英國劍橋CB30FA
關鍵詞：igbt 功率器件 超結
摘要：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是當今最具創(chuàng)新性的功率器件，是目前為止唯一將MOSFET和雙極結型晶體管結合在單元胞中的器件。由于MOSFET和雙極結型晶體管對開關控制和導通狀態(tài)都有影響，因此為了優(yōu)化器件性能及安全工作區(qū)，對二者的工作狀態(tài)需要仔細地折中考慮。文章闡述了IGBT技術的發(fā)展歷史、器件結構及發(fā)展前景，涉及IGBT的基本概念及技術挑戰(zhàn)，討論了促使IGBT更新?lián)Q代的主要技術進程，最后介紹了一些IGBT新型器件結構及新興技術。
大功率變流技術雜志要求:
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