基于邊沿延時(shí)翻轉(zhuǎn)的綁定前硅通孔測(cè)試方法
關(guān)鍵詞：3d芯片 硅通孔測(cè)試 開(kāi)路故障 短路故障
摘要：硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造過(guò)程中發(fā)生開(kāi)路和短路等故障會(huì)嚴(yán)重影響3D芯片的可靠性和良率,因此對(duì)綁定前的TSV進(jìn)行故障測(cè)試是十分必要的.現(xiàn)有的綁定前TSV測(cè)試方法仍存在故障覆蓋不完全、面積開(kāi)銷大和測(cè)試時(shí)間大等問(wèn)題.為解決這些問(wèn)題,本文介紹一種基于邊沿延時(shí)翻轉(zhuǎn)的綁定前TSV測(cè)試技術(shù).該方法主要測(cè)量物理缺陷導(dǎo)致硅通孔延時(shí)的變化量,并將上升沿和下降沿的延時(shí)分開(kāi)測(cè)量以便消除二者的相互影響.首先,將上升沿延時(shí)變化量轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)寬度的脈沖信號(hào);然后,通過(guò)脈寬縮減技術(shù)測(cè)量出該脈沖的寬度;最后,通過(guò)觸發(fā)器的狀態(tài)提取出測(cè)量結(jié)果并和無(wú)故障TSV參考值進(jìn)行比較.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,本文脈寬縮減測(cè)試方法在故障測(cè)量范圍、面積開(kāi)銷等方面均有明顯改善.
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