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基于邊沿延時翻轉的綁定前硅通孔測試方法
倪天明; 常郝; 卞景昌; 易茂祥; 梁華國; 黃正峰 安徽工程大學電氣工程學院; 高端裝備先進感知與智能控制教育部重點實驗室; 安徽蕪湖241000; 安徽財經大學計算機科學與技術系; 安徽蚌埠233030; 合肥工業(yè)大學電子科學與應用物理學院; 安徽合肥230009
關鍵詞：3d芯片 硅通孔測試 開路故障 短路故障
摘要：硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造過程中發(fā)生開路和短路等故障會嚴重影響3D芯片的可靠性和良率,因此對綁定前的TSV進行故障測試是十分必要的.現有的綁定前TSV測試方法仍存在故障覆蓋不完全、面積開銷大和測試時間大等問題.為解決這些問題,本文介紹一種基于邊沿延時翻轉的綁定前TSV測試技術.該方法主要測量物理缺陷導致硅通孔延時的變化量,并將上升沿和下降沿的延時分開測量以便消除二者的相互影響.首先,將上升沿延時變化量轉化為對應寬度的脈沖信號;然后,通過脈寬縮減技術測量出該脈沖的寬度;最后,通過觸發(fā)器的狀態(tài)提取出測量結果并和無故障TSV參考值進行比較.實驗結果表明,本文脈寬縮減測試方法在故障測量范圍、面積開銷等方面均有明顯改善.
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