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基于鐵電薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si結(jié)構(gòu)的負電容效應(yīng)研究
麥滿芳; 朱傳云; 李矩明; 馬信洲 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院物理與光電工程學(xué)院; 廣東佛山528225; 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院材料科學(xué)與能源工程學(xué)院; 廣東佛山528225
關(guān)鍵詞：負電容 鐵電薄膜 pvdf mfis結(jié)構(gòu) 電感
摘要：采用旋涂法制備了基于鐵電聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)結(jié)構(gòu).通過測量MFIS結(jié)構(gòu)的電容-頻率特性和電容-電壓特性,觀察到負電容效應(yīng).測量頻率越低,正向偏壓越大,負電容效應(yīng)越顯著.在時域中,施加脈沖電壓,出現(xiàn)瞬態(tài)電流隨時間增大的電感現(xiàn)象.研究結(jié)果表明,MFIS結(jié)構(gòu)中的負電容效應(yīng)是一種電感現(xiàn)象.構(gòu)建能帶圖分析MFIS結(jié)構(gòu)中負電容效應(yīng)的產(chǎn)生原因,是由于大量電子注入到界面中被捕獲使得電流的相位落后于電壓導(dǎo)致.基于鐵電薄膜的負電容MFIS結(jié)構(gòu)有望應(yīng)用于低功耗器件中.
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