基于石英納米孔道的單顆粒尺寸分布分析
關(guān)鍵詞：石英納米孔道 電化學(xué)限域 單顆粒尺寸分布分析
摘要：發(fā)展了一種基于石英納米孔道的單顆粒電化學(xué)動(dòng)態(tài)分析方法,用于單個(gè)CdSe/ZnS量子點(diǎn)納米顆粒的尺寸分布分析.其機(jī)制是向石英納米孔道兩端施加電壓,表面帶有正電荷的單個(gè)CdSe/ZnS量子點(diǎn)納米顆粒在電場(chǎng)力驅(qū)動(dòng)下由管內(nèi)向管外運(yùn)動(dòng),當(dāng)量子點(diǎn)納米顆粒穿過(guò)納米孔道尖端狹小的限域空間時(shí),其表面正電荷使石英納米孔道內(nèi)電荷密度增加,孔道內(nèi)的電化學(xué)限域效應(yīng)進(jìn)一步將電荷密度增加的信息放大并轉(zhuǎn)變?yōu)榭勺x的離子流增強(qiáng)信號(hào).通過(guò)對(duì)動(dòng)態(tài)離子流信號(hào)解析可實(shí)時(shí)獲取具有2種不同尺寸的量子點(diǎn)納米顆粒所導(dǎo)致的2類過(guò)孔事件信息,從而對(duì)在限域空間內(nèi)運(yùn)動(dòng)的納米顆粒進(jìn)行尺寸分布分析.
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(bào)雜志要求:
{1}來(lái)稿最后需標(biāo)明作者（編者，譯者）的真實(shí)姓名、性別、出生年月、籍貫、工作（學(xué)習(xí)）單位、職務(wù)（職稱）、主要研究方向、詳細(xì)地址、郵編以及聯(lián)系電話（手機(jī)號(hào)碼，以方便快遞公司投遞樣刊），未按要求填報(bào)相關(guān)內(nèi)容的，一律不予采用。
{2}來(lái)稿文責(zé)自負(fù)，本刊編輯部有權(quán)對(duì)來(lái)稿作一定的修改或刪節(jié)，如不同意，請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿中注明。
{3}文獻(xiàn)列表中出現(xiàn)的每條文獻(xiàn)在正文中均需引用，并標(biāo)注參考文獻(xiàn)序號(hào)。正文中參考文獻(xiàn)序號(hào)在引用內(nèi)容結(jié)束后平行標(biāo)記。
{4}標(biāo)題字?jǐn)?shù)在20字以內(nèi)，具備摘要（中英文）、關(guān)鍵詞（中英文）、正文、參考文獻(xiàn)、基金項(xiàng)目、作者簡(jiǎn)介等格式。
{5}參考文獻(xiàn)等要素完整、規(guī)范，按照順序編碼制著錄。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
