購物車(0)
近圓形光斑650nm半導體激光器的設計及制備
朱振; 任夫洋; 鄧桃; 夏偉; 徐現剛 山東華光光電子股份有限公司; 山東濟南250100; 濟南大學物理科學與技術學院; 山東濟南250100; 山東大學晶體材料國家重點實驗室; 山東濟南250100
關鍵詞：650nm激光器 陡峭脊型 基橫模 近圓形光斑
摘要：紅光半導體激光器被廣泛用于景觀照明、塑料光纖通訊、空氣質量檢測和醫(yī)療等方面,但受限于其可靠性不高及光斑質量差的缺點,在制作點光源或耦合進光纖等方面增加了應用成本。為解決此問題,本文設計并制作了基橫模工作的650 nm脊型半導體激光器。結合AlGaInP材料的特點,我們使用極窄波導光場擴展結構,使光場滲入限制層,增加了光場擴展寬度,有效降低了激光器的垂直發(fā)散角。通過電感耦合等離子刻蝕技術得到陡峭的2μm寬度的窄脊型結構,然后通過濕法工藝去除損傷并腐蝕到阻擋層位置。干濕結合的工藝使得激光器能穩(wěn)定地基橫模輸出。制作的激光器遠場圖形呈近圓形分布,克服了傳統(tǒng)半導體激光器光斑狹長的缺點。功率測試在30 mW以上沒有出現功率曲線扭折,并且制作的激光器通過了60℃下10 mW的老化測試,推算的平均失效時間(MTTF)大于18 000 h。
光電子激光雜志要求:
{1}作者明確，多位作者分屬不同單位時作者與單位應一一標注，單位要求具體到科室，地市齊全，郵編正確。
{2}稿件可以為論文、譯文、綜述、書評、案例評析及資料等，須未公開發(fā)表。
{3}來稿文責自負，本刊編輯部有權對來稿作一定的修改或刪節(jié)，如不同意，請在來稿中注明。
{4}文題應簡明確切地反映文章的特定內容，以不超過20字為宜。
{5}稿件文中計量單位、數字和年代的表示等請按國家相關規(guī)定書寫，如有圖片請撰寫說明并注明出處。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
