H擴散摻雜源漏的自對準頂柵a-IGZO TFT制備工藝研究
關(guān)鍵詞：非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管 自對準頂柵 柵介質(zhì)刻蝕 氫摻雜
摘要：采用氫(H)擴散摻雜源漏的方法對自對準頂柵a-IGZO TFT的制備工藝進行了研究。氫的擴散摻雜通過PECVD生長SiNx鈍化層而實現(xiàn)。實驗結(jié)果顯示,在柵電極圖形化后,是否繼續(xù)進行柵介質(zhì)刻蝕對器件性能有較大影響。對刻蝕了SiO2柵介質(zhì)層的器件,發(fā)現(xiàn)其泄漏電流較大,這可能是由于有源層側(cè)壁的刻蝕殘留物導致的;短溝道器件閾值電壓偏負且在經(jīng)過退火后遷移率減小,則是由于嚴重的H橫向擴散導致的。對未刻蝕SiO2柵介質(zhì)層的器件,發(fā)現(xiàn)其閾值電壓相對偏正,應(yīng)該是因為SiO2柵介質(zhì)對H的摻雜有一定的阻擋作用,導致H的橫向擴散得到了抑制;器件在經(jīng)過退火后遷移率上升,開態(tài)電流增大,應(yīng)該是因為未刻蝕柵介質(zhì)中的H熱擴散到下方的源漏區(qū)域,降低了源漏電阻。
光電子技術(shù)雜志要求:
{1}多次引用同一著者的同一文獻時，在正文標注首次引用的文獻序號，并在序號的“[]”外著錄引文頁碼。原始語種非英文參考文獻后同時附相應(yīng)的英文項目，并注明其原始語種。
{2}論文力求取材新穎，論點明確，論據(jù)充分，論述筒潔，資料、數(shù)據(jù)和反映的內(nèi)容務(wù)求核實準確。
{3}本刊歡迎具有學術(shù)性、前沿性、思想性的稿件， 對選題獨特、視角新穎、有創(chuàng)見的文稿尤為重視。
{4}題名應(yīng)恰當簡明地反映文章的特定內(nèi)容，要便于編制題錄、索引和選定關(guān)鍵詞。一般不用副題名，中文題名一般不超過20個漢字，中、英文題名含義應(yīng)一致。
{5}作者簡介。包括姓名，出生年月，性別，民族，籍貫，職稱，學歷，研究方向，主要學術(shù)成就等。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
