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      四針狀氧化鋅/還原氧化石墨烯復(fù)合陰極的場(chǎng)發(fā)射性能研究

      林金堂 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院; 福州350108; 場(chǎng)致發(fā)射顯示技術(shù)教育部工程研究中心; 福州350108

      關(guān)鍵詞:還原氧化石墨烯 四針狀氧化鋅 復(fù)合陰極 場(chǎng)致電子發(fā)射 

      摘要:通過絲網(wǎng)印刷將四針狀納米氧化鋅(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)轉(zhuǎn)移到電極表面,采用旋涂的方法在T-ZnO陣列上方形成連續(xù)的、懸浮結(jié)構(gòu)的還原石墨烯(reduced graphene oxide,rGO)層薄膜,制備出以T-ZnO為支撐層的T-ZnO/rGO復(fù)合薄膜冷陰極。實(shí)驗(yàn)表明:相對(duì)于T-ZnO陰極,T-ZnO/rGO薄膜陰極發(fā)射電流密度提高、開啟場(chǎng)強(qiáng)與閾值場(chǎng)強(qiáng)降低,其開啟場(chǎng)強(qiáng)為2.5 V/μm(電流密度10μA/cm^2),閾值電場(chǎng)為3.8 V/μm(電流密度為1 mA/cm^2),具有良好的場(chǎng)發(fā)射性能。

      光電子技術(shù)雜志要求:

      {1}多次引用同一著者的同一文獻(xiàn)時(shí),在正文標(biāo)注首次引用的文獻(xiàn)序號(hào),并在序號(hào)的“[]”外著錄引文頁碼。原始語種非英文參考文獻(xiàn)后同時(shí)附相應(yīng)的英文項(xiàng)目,并注明其原始語種。

      {2}論文力求取材新穎,論點(diǎn)明確,論據(jù)充分,論述筒潔,資料、數(shù)據(jù)和反映的內(nèi)容務(wù)求核實(shí)準(zhǔn)確。

      {3}本刊歡迎具有學(xué)術(shù)性、前沿性、思想性的稿件, 對(duì)選題獨(dú)特、視角新穎、有創(chuàng)見的文稿尤為重視。

      {4}題名應(yīng)恰當(dāng)簡(jiǎn)明地反映文章的特定內(nèi)容,要便于編制題錄、索引和選定關(guān)鍵詞。一般不用副題名,中文題名一般不超過20個(gè)漢字,中、英文題名含義應(yīng)一致。

      {5}作者簡(jiǎn)介。包括姓名,出生年月,性別,民族,籍貫,職稱,學(xué)歷,研究方向,主要學(xué)術(shù)成就等。

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      光電子技術(shù)

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