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毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器
賈晨陽; 彭龍新; 劉昊; 凌志健; 李建平; 韓方彬 南京電子器件研究所; 南京210016; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室; 南京210016
關鍵詞：毫米波 限幅低噪聲放大器 pin二極管 phemt晶體管
摘要：設計了一款毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器。限幅器采用兩級反向并聯(lián)二極管結構,通過優(yōu)化限幅器匹配電路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅電路的插損。低噪聲放大器為四級級聯(lián)設計,輸入端采用最小噪聲匹配,偏置電路增加RC串聯(lián)諧振電路,減小了噪聲,提高了電路穩(wěn)定性。測試結果表明,該毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器在33~37GHz頻帶內,增益達到22dB,增益平坦為±1dB,輸入駐波小于2,輸出駐波小于1.5,噪聲小于3.0dB,輸出1dB增益壓縮點(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脈沖輸入功率。
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