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Si摻雜4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑在TiO2(100)表面吸附的理論研究
張梅梅; 黃丹丹; 胥城城 長江師范學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院; 重慶408100
關(guān)鍵詞：4 摻雜 tio 密度泛函理論
摘要：采用密度泛函理論與周期性平板模型相結(jié)合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了Si摻雜4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑(DTBT-Si)在TiO2(100)表面的吸附。通過吸附前后化合物DTBT-Si的Mulliken charge和前線軌道分析表明:當(dāng)DTBT-Si吸附在TiO2(100)表面時(shí),DTBT-Si表面向TiO2(100)轉(zhuǎn)移0.923e電荷,同時(shí)前線軌道能隙變窄。
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