分子束外延硅基碲鎘汞材料技術(shù)研究現(xiàn)狀
高達(dá); 王經(jīng)緯; 王叢; 李震; 吳亮亮; 劉銘 華北光電技術(shù)研究所; 北京100015
關(guān)鍵詞：硅基碲鎘汞 分子束外延 材料性能
摘要：目前,高性能大面陣中波及短波紅外探測器已經(jīng)得到了越來越多的應(yīng)用。材料參數(shù)控制精確、材料質(zhì)量良好的碲鎘汞材料是獲得高質(zhì)量碲鎘汞探測器的先決條件。報道了華北光電技術(shù)研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生長硅基中波及短波碲鎘汞材料方面的最新研究進(jìn)展,并介紹了現(xiàn)階段MBE生長碲鎘汞材料的研究現(xiàn)狀。
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