220 GHz低噪聲放大器研究
關(guān)鍵詞：低噪聲放大器 220 ghz 共基級 共射共基
摘要：基于IHP鍺硅BiCMOS工藝,研究和實現(xiàn)了兩種220 GHz低噪聲放大器電路,并將其應(yīng)用于220 GHz太赫茲無線高速通信收發(fā)機電路。一種是220 GHz四級單端共基極低噪聲放大電路,每級電路采用了共基極(Common Base,CB)電路結(jié)構(gòu),利用傳輸線和金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)電容等無源電路元器件構(gòu)成輸入、輸出和級間匹配網(wǎng)絡(luò)。該低噪放電源的電壓為1.8 V,功耗為25 mW,在220 GHz頻點處實現(xiàn)了16 dB的增益,3 dB帶寬達到了27 GHz。另一種是220 GHz四級共射共基差分低噪聲放大電路,每級都采用共射共基的電路結(jié)構(gòu),放大器利用微帶傳輸線和MIM電容構(gòu)成每級的負載、Marchand-Balun、輸入、輸出和級間匹配網(wǎng)絡(luò)等。該低噪放電源的電壓為3 V,功耗為234 mW,在224 GHz頻點實現(xiàn)了22 dB的增益,3 dB帶寬超過6 GHz。這兩個低噪聲放大器可應(yīng)用于220 GHz太赫茲無線高速通信收發(fā)機電路。
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