1.55 μm AlGaInAs/InP小發(fā)散角量子阱激光器的仿真和制備
關(guān)鍵詞：銦磷基激光器 發(fā)散角 光場(chǎng)分布
摘要：理論仿真和實(shí)驗(yàn)制備了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小發(fā)散角量子阱激光器.為了擴(kuò)展近場(chǎng)光場(chǎng)并減小內(nèi)損耗,將一個(gè)非對(duì)稱模式擴(kuò)展層插入到外延結(jié)構(gòu)的下蓋層當(dāng)中.仿真結(jié)果表明,該模式擴(kuò)展層除了少量增加激光器閾值電流以外,在不影響激光器其它性能的情況下能顯著減小激光器的垂直遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角.實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論仿真高度吻合.成功制備出脊寬4 μm,腔長1 000 μm的脊波導(dǎo)小發(fā)散角激光器.在端面未鍍膜的情況下,該激光器閾值電流為56 mA,輸出功率為17.38 mw@120 mA,斜率效率可以達(dá)到0.272 W/A.實(shí)驗(yàn)測(cè)得垂直遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角為29.6°,相比較傳統(tǒng)激光器減小了約35.3%.
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