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關(guān)鍵詞：柵極驅(qū)動(dòng)器 功率mosfet 隔離式 電壓控制型 功率器件 

摘要：IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1])。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流[QC2]。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么,為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器,以及如何定義其基本參數(shù),如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。

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