28nm工藝基于T_Coil結(jié)構(gòu)的帶ESD防護(hù)器件的高速IO設(shè)計(jì)
關(guān)鍵詞：28nm工藝 高速io設(shè)計(jì) esd
摘要：高速串行接口芯片是通信領(lǐng)域的核心芯片,也是云計(jì)算的核心互聯(lián)芯片,高速串行接口芯片的IO在實(shí)現(xiàn)高速率的同時如何保證其軍品ESD指標(biāo)是關(guān)鍵難點(diǎn)之一。傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,在保證ESD防護(hù)能力的前提下,高速IO設(shè)計(jì)往往無法達(dá)到預(yù)期的帶寬。針對傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法存在的缺點(diǎn),采用基于T_Coil結(jié)構(gòu)的帶ESD防護(hù)器件的高速IO電路結(jié)構(gòu)。然后,完成28nm工藝下基于T_Coil結(jié)構(gòu)的帶ESD防護(hù)器件的高速IO設(shè)計(jì),采用反向二極管技術(shù)設(shè)計(jì)ESD防護(hù)器件,使用CadenceVirtuoso軟件完成其電路設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)。最后,基于仿真工具給出了功能性能仿真結(jié)果和帶寄生參數(shù)的仿真結(jié)果,并與傳統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行對比,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了16Gbps的速率。
計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程雜志要求:
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