磁控濺射制備MoS2/C復(fù)合薄膜及其結(jié)構(gòu)表征
關(guān)鍵詞：磁控濺射 二硫化鉬 復(fù)合薄膜
摘要：采用單靶與雙靶磁控共濺射技術(shù),在非晶態(tài)石英玻璃基底上分別沉積生長了MoS 2薄膜及MoS 2/C復(fù)合薄膜.利用X射線衍射、拉曼光譜檢測(cè)技術(shù)對(duì)MoS 2薄膜和MoS 2/C復(fù)合薄膜材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,探討了退火處理前后薄膜結(jié)構(gòu)的變化.結(jié)果表明,通過脈沖和射頻雙靶共濺射制備的MoS 2/C復(fù)合薄膜,碳原子對(duì)二硫化鉬的空隙進(jìn)行了填充,經(jīng)過400℃真空退火20分鐘,獲得了結(jié)晶度較好的MoS 2/C復(fù)合薄膜材料.
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