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Zr摻雜對(duì)CeO2(111)表面空位形成及電子結(jié)構(gòu)的影響
關(guān)鍵詞：zr摻雜 氧空位 電子結(jié)構(gòu) 態(tài)密度
摘要：利用VASP軟件,采用第一性原理的DFT+U方法計(jì)算了Zr摻雜前后CeO 2(111)表面結(jié)構(gòu)、氧空位形成能以及電子結(jié)構(gòu)的變化.研究表明:Zr摻雜中心附近,表層Ce,O原子發(fā)生較大弛豫,Zr的摻雜明顯降低了CeO 2(111)表面的氧空位形成能,表明對(duì)其態(tài)密度無(wú)明顯的影響.Zr摻雜前后的還原體系態(tài)密度圖均在靠近費(fèi)密能級(jí)左側(cè)出現(xiàn)1個(gè)間隙態(tài),表明有Ce^4+被還原為Ce^3+.
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