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關(guān)鍵詞：多斷口 真空斷路器 有限元 電場(chǎng)計(jì)算 

摘要：高電壓等級(jí)開(kāi)關(guān)設(shè)備的絕緣水平嚴(yán)重影響設(shè)備的安全運(yùn)行和開(kāi)斷能力,因此在研發(fā)高電壓真空斷路器時(shí)需要分析其電場(chǎng)分布。以363 k V快速真空斷路器設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)為原型,建立三維有限元電場(chǎng)計(jì)算模型,分別計(jì)算了額定電壓下閉合和開(kāi)斷工況下的電場(chǎng)分布,分析了滅弧室、絕緣子以及主要金具表面的電場(chǎng)大小。結(jié)果表明:均壓環(huán)表面電場(chǎng)最大值為1. 92 MV/m,絕緣子表面最大值為0. 36 MV/m,開(kāi)距20 mm時(shí)滅弧室斷口電場(chǎng)最大值為3. 5 MV/m,其他部位電場(chǎng)均處于控制范圍內(nèi),斷路器總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,滿(mǎn)足絕緣要求。

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