購物車(0)
1.3μm InAs/GaAs量子點側向耦合淺刻蝕分布反饋激光器
關鍵詞：分布反饋激光器 側向耦合 淺刻蝕光柵 邊模抑制比
摘要：為了簡化工藝流程和減輕制備難度,提出了1.3μm分布反饋(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.該方法采用純折射率側向耦合(laterally coupled,LC)結構,將一階光柵淺刻蝕在脊形波導兩側,避免了激光器材料的二次外延和光柵深刻蝕.采用非摻雜和p摻雜兩種InAs/GaAs量子點(quantum dot,QD)樣品來制備LC-DFB激光器.與采用傳統(tǒng)方法制備的DFB激光器相比,非摻雜量子點LC-DFB激光器表現(xiàn)出了低的閾值電流,其值為1.12mA/量子點層;p摻雜量子點LC-DFB激光器表現(xiàn)出了較大的特征溫度和斜率效率.在室溫下,這種淺刻蝕的LC-DFB激光器實現(xiàn)了單縱模連續(xù)輸出,邊模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高達51dB.同時,在不同的測試溫度和注入電流下,這種激光器表現(xiàn)出了優(yōu)良的波長穩(wěn)定性.1.3μm淺刻蝕量子點LC-DFB激光器有望在遠距離光纖通信領域實現(xiàn)巨大應用價值.
上海大學學報·自然科學版雜志要求:
{1}稿件請?zhí)峁┑谝蛔髡吆屯ㄐ抛髡吆喗椋ㄐ彰?、出生年、性別、學歷、職稱、研究方向、通訊地址、聯(lián)系電話和E-mail等。
{2}如稿件以前已有回復意見,請將以往郵件一并附上。
{3}文中一級標題、二級標題、三級標題、四級標題的序號用“一、……”“1.……”“（1）……”標示。盡量不使用三級或三級以上的標題。
{4}參考文獻：本著“最新、重要、必要”的原則列出相關文獻，文獻應是正式出版物，未正式發(fā)表的資料不能作為文獻引用。
{5}中英文關鍵詞,關鍵詞是用來表達、揭示文章主題內(nèi)容的、具有檢索價值的詞或者詞組，通常5個左右為宜。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
