1.3μm InAs/GaAs量子點(diǎn)側(cè)向耦合淺刻蝕分布反饋激光器
關(guān)鍵詞：分布反饋激光器 側(cè)向耦合 淺刻蝕光柵 邊模抑制比
摘要：為了簡(jiǎn)化工藝流程和減輕制備難度,提出了1.3μm分布反饋(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.該方法采用純折射率側(cè)向耦合(laterally coupled,LC)結(jié)構(gòu),將一階光柵淺刻蝕在脊形波導(dǎo)兩側(cè),避免了激光器材料的二次外延和光柵深刻蝕.采用非摻雜和p摻雜兩種InAs/GaAs量子點(diǎn)(quantum dot,QD)樣品來(lái)制備LC-DFB激光器.與采用傳統(tǒng)方法制備的DFB激光器相比,非摻雜量子點(diǎn)LC-DFB激光器表現(xiàn)出了低的閾值電流,其值為1.12mA/量子點(diǎn)層;p摻雜量子點(diǎn)LC-DFB激光器表現(xiàn)出了較大的特征溫度和斜率效率.在室溫下,這種淺刻蝕的LC-DFB激光器實(shí)現(xiàn)了單縱模連續(xù)輸出,邊模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高達(dá)51dB.同時(shí),在不同的測(cè)試溫度和注入電流下,這種激光器表現(xiàn)出了優(yōu)良的波長(zhǎng)穩(wěn)定性.1.3μm淺刻蝕量子點(diǎn)LC-DFB激光器有望在遠(yuǎn)距離光纖通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)巨大應(yīng)用價(jià)值.
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