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一種基于CMOS工藝的抗輻照A/D轉(zhuǎn)換器
陳良; 劉濤; 雷郎成; 胡永貴; 王育新 中國電子科技集團公司第二十四研究所; 重慶400060
關(guān)鍵詞：輻射加固 總劑量輻射 單粒子鎖定
摘要：空間輻射對電子系統(tǒng)的損傷是航天設(shè)備發(fā)生故障的重要因素。A/D轉(zhuǎn)換器是航天電子系統(tǒng)的關(guān)鍵器件之一,其抗輻射性能將直接影響航天設(shè)備的整體性能。基于標(biāo)準(zhǔn)0.35μm CMOS工藝,設(shè)計了一種流水線型14位A/D轉(zhuǎn)換器,從總體架構(gòu)、關(guān)鍵核心單元、版圖等方面進行抗輻照設(shè)計。輻照測試結(jié)果表明,該A/D轉(zhuǎn)換器的抗總劑量能力達到1.0 kGy(Si),抗單粒子閉鎖閾值達到37 MeV·cm~2/mg,滿足宇航電子系統(tǒng)的應(yīng)用要求。
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