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一種EFlash高壓自校準電路
孫銘陽; 鄭曉; 郭桂良 中國科學院大學; 北京100029; 中芯國際集成電路制造有限公司; 上海201203; 中國科學院微電子研究所; 北京100029
關(guān)鍵詞：嵌入式閃存 高壓 ate 自校準 高效
摘要：嵌入式閃存(Embedded Flash,EFlash)內(nèi)部高壓的準確性對其讀取、編程和擦除的有效性至關(guān)重要.為了EFlash IP的高壓誤差盡可能小,電路預留了可調(diào)接口用于調(diào)整內(nèi)部高壓的數(shù)值.通過提出自動檢測的算法和設(shè)計集自動化檢測和校準一體的自測電路,達到快速校準高壓的目的.實驗以一個2 M存儲容量的EFlash為對象,實現(xiàn)校準時間從3 s到30 ms的減少.
微電子學與計算機雜志要求:
{1}作者是指科研內(nèi)容的構(gòu)思，具體研究工作的執(zhí)行及撰稿執(zhí)筆等方面的主要貢獻人員，能夠?qū)φ撐牡闹饕獌?nèi)容負責答辯的人員，是論文的法定主權(quán)人和責任者。作者署名不宜過多，一般不超過8名。
{2}所投稿件要求觀點明確，論據(jù)可靠，層次分明，論述精練，語言準確，符合規(guī)范。
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{5}選用３~８個詞或詞組反映論文的中心內(nèi)容，同時應(yīng)翻譯為相應(yīng)的英文關(guān)鍵詞。題名、作者姓名、作者單位、摘要、關(guān)鍵詞的英譯置于文末。
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