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高密度電法反演分辨率數(shù)值模擬與分析
關(guān)鍵詞：高密度電法 分辨率 約束深度 電極距
摘要：高密度電法在反演過(guò)程中,電極距相比電性異常體橫向長(zhǎng)度過(guò)大時(shí),電性異常體在反演中無(wú)法得到約束;某電極距下,當(dāng)電性異常體埋藏深度增加大到一定深度時(shí),在反演中電性異常體也無(wú)法得到約束。針對(duì)以上兩個(gè)問(wèn)題,利用res2dmod正演軟件建立模型,再利用res2dinv反演軟件對(duì)模型進(jìn)行反演,通過(guò)對(duì)比分析結(jié)果表明:溫納、偶極和微分三種裝置分兩種情況:如果電極距小于20m模擬條件下,對(duì)于埋藏深度為5m且剖面面積不同的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),橫向反演分辨率,溫納裝置大于微分和偶極裝置;電極距小于12.75m時(shí),微分裝置大于偶極裝置,電極距大于12.75m時(shí),偶極裝置大于微分裝置。如果電極距在2m~8m范圍內(nèi),對(duì)于剖面面積為4×4(m2)的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),其最大約束深度隨電極距的增大而先增大后減小;相同電極距下,偶極裝置的最大約束深度>微分裝置的最大約束深度>溫納裝置的最大約束深度。
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