高密度電法反演分辨率數(shù)值模擬與分析
孟凡松; 張剛; 趙衛(wèi)東; 陳夢君; 李懷良 西南科技大學環(huán)境與資源學院; 綿陽621000; 西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室; 綿陽621000; 四川省核工業(yè)地質(zhì)局二八一大隊; 西昌615000
關鍵詞：高密度電法 分辨率 約束深度 電極距
摘要：高密度電法在反演過程中,電極距相比電性異常體橫向長度過大時,電性異常體在反演中無法得到約束;某電極距下,當電性異常體埋藏深度增加大到一定深度時,在反演中電性異常體也無法得到約束。針對以上兩個問題,利用res2dmod正演軟件建立模型,再利用res2dinv反演軟件對模型進行反演,通過對比分析結果表明:溫納、偶極和微分三種裝置分兩種情況:如果電極距小于20m模擬條件下,對于埋藏深度為5m且剖面面積不同的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),橫向反演分辨率,溫納裝置大于微分和偶極裝置;電極距小于12.75m時,微分裝置大于偶極裝置,電極距大于12.75m時,偶極裝置大于微分裝置。如果電極距在2m~8m范圍內(nèi),對于剖面面積為4×4(m2)的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),其最大約束深度隨電極距的增大而先增大后減小;相同電極距下,偶極裝置的最大約束深度>微分裝置的最大約束深度>溫納裝置的最大約束深度。
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