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電子束光刻制備5000 line／mm光柵掩模關(guān)鍵技術(shù)研究
朱效立 謝常青 趙珉 陳寶欽 葉甜春 牛潔斌 張慶釗 劉明 中國科學(xué)院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)實驗室 北京100029
關(guān)鍵詞：電子束光刻 x射線透射光柵 鄰近效應(yīng)校正 x射線光刻
摘要：為了制備高線密度X射線透射光柵掩模，分析了電子束光刻中場拼接對高線密度光柵圖形的影響；利用幾何校正技術(shù)和低靈敏度的950k的PMMA電子束抗蝕劑，克服了電子束的鄰近效應(yīng)對厚膠圖形曝光的影響。采用電子束光刻和微電鍍的方法制備了5000 line／mm X射線透射光柵的掩模，并將柵線寬度精確控制在100nm～110nm，為X射線光刻復(fù)制高線密度X射線透射光柵創(chuàng)造了有利條件。
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