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薄膜光學(xué)微金字塔結(jié)構(gòu)陣列的制備研究
關(guān)鍵詞：微金字塔結(jié)構(gòu) 等效折射率 單點(diǎn)金剛石車削 納米壓印 電感耦合等離子體刻蝕
摘要：為了解決薄膜光學(xué)微結(jié)構(gòu)中等效折射率梯度分布的問題。本文研究了輪廓漸變的薄膜微金字塔結(jié)構(gòu)陣列,分析了微金字塔結(jié)構(gòu)的典型制備工藝,提出了一種單點(diǎn)金剛石車削,結(jié)合納米壓印與電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)的制備方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:單點(diǎn)金剛石飛切形成的金字塔結(jié)構(gòu)單元的尺寸可以在1~10μm之間進(jìn)行調(diào)控,切削5min可以形成直徑12.5mm的微結(jié)構(gòu)成型區(qū)域;納米壓印技術(shù)與電感耦合等離子體刻蝕方法的結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了薄膜光學(xué)微金字塔結(jié)構(gòu)陣列的制備。
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