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      單晶SnSe熱電材料研究進(jìn)展

      張閃閃; 閆艷慈; 彭坤嶺; 吳宏; 張夢(mèng)珂; 李承駿; 湯曉丹; 郭莉杰; 盧旭; 王國(guó)玉; 周小元 重慶大學(xué)物理學(xué)院; 重慶400000; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)重慶綠色智能技術(shù)研究院; 重慶400700

      關(guān)鍵詞:熱電材料 單晶snse 低熱導(dǎo)率 電學(xué)性能 熱電優(yōu)值 

      摘要:熱電材料是一種環(huán)境友好型的新能源轉(zhuǎn)換材料。隨著社會(huì)的發(fā)展,越來(lái)越多的熱電材料被開(kāi)發(fā)利用。單晶SnSe熱電材料因其優(yōu)異的熱電性能成為熱電研究領(lǐng)域的“明星材料”。截至目前,p型SnSe單晶材料在b方向上獲得了2.6@923 K的高熱電優(yōu)值,n型SnSe單晶材料在層間方向的ZT值高達(dá)2.8@773 K。本文以單晶SnSe熱電材料的研究進(jìn)展為主線,闡明了SnSe單晶優(yōu)異熱電性能的根源,概述了單晶SnSe的生長(zhǎng)方法,總結(jié)了優(yōu)化單晶SnSe熱電性能的途徑(包括電學(xué)方面的能帶工程和載流子濃度優(yōu)化以及熱學(xué)方面的點(diǎn)缺陷調(diào)控等),最后簡(jiǎn)要回顧了近幾年單晶SnSe的發(fā)展?fàn)顩r。

      現(xiàn)代技術(shù)陶瓷雜志要求:

      {1}正文包括題目、摘要(中英文)、關(guān)鍵詞(中英文)、引言、方法、結(jié)果、討論、結(jié)論和參考文獻(xiàn)等部分內(nèi)容。(不要包含作者姓名、單位等作者信息)。

      {2}編輯部有權(quán)對(duì)稿件進(jìn)行必要?jiǎng)h改,如不同意刪改,請(qǐng)?jiān)谕陡鍟r(shí)說(shuō)明。

      {3}文章標(biāo)題:主標(biāo)題一般不超過(guò)20個(gè)漢字,必要時(shí)可加副標(biāo)題,用加粗的宋體小2號(hào)字。

      {4}參考文獻(xiàn)列在文末,以中括號(hào)編碼,按照文中引文出現(xiàn)的先后順序排列,不單獨(dú)分中外文。同一文獻(xiàn)只出現(xiàn)一次。禁止將一部參考文獻(xiàn)標(biāo)注多個(gè)序列號(hào)。英文參考文獻(xiàn)中的書名用斜體。

      {5}摘要中不出現(xiàn)圖、表、化學(xué)結(jié)構(gòu)式和非公知用的符號(hào)和術(shù)語(yǔ),也不宜引用文中圖、表、公式和參考文獻(xiàn)的序號(hào)。關(guān)鍵詞一般選用3~5個(gè)敘詞,中英文相一致。


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