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關(guān)鍵詞：多晶硅 冶金法 退火 建模 試驗(yàn) 

摘要：冶金法制備多晶硅過程中,通過對(duì)不同退火溫控方案進(jìn)行數(shù)學(xué)建模,探求優(yōu)化的退火理論溫度控制函數(shù)與曲線。數(shù)學(xué)模型表明,對(duì)硅鑄錠直接進(jìn)行保溫,依靠自然熱平衡退火,會(huì)使內(nèi)部應(yīng)力大于產(chǎn)生位錯(cuò)的臨界應(yīng)力;采用加熱元件對(duì)硅鑄錠適當(dāng)加熱保溫可減緩降溫速率。通過比較,選擇較低的退火溫度1 236℃和較短的退火時(shí)間8.52 ks作為試驗(yàn)退火溫控方案。試驗(yàn)驗(yàn)證表明,該退火方案得到的多晶硅鑄錠目視裂紋較少,少數(shù)載流子壽命與電阻率具有明顯優(yōu)勢(shì)。

宇航材料工藝雜志要求:

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{3}內(nèi)容摘要應(yīng)能客觀地反映論文主要內(nèi)容的信息，一般不超過200字。關(guān)鍵詞一般每篇3～5個(gè)為宜。

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