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碳化硅納米線拉伸斷裂及斷裂表面接觸的分子動(dòng)力學(xué)模擬
關(guān)鍵詞：sic納米線 分子動(dòng)力學(xué)模擬 重新鍵合 勢(shì)能
摘要：一維納米材料的自愈合對(duì)于工業(yè)應(yīng)用有著重要的意義,而晶體SiC納米線則是一種擁有優(yōu)異性能一維納米材料.基于分子動(dòng)力學(xué)方法,采用Tersoff勢(shì)函數(shù),對(duì)半徑25(A),長(zhǎng)150(A)的晶體SiC納米線進(jìn)行拉伸模擬,提取單個(gè)Si原子的位置和勢(shì)能變化,發(fā)現(xiàn)原子斷鍵后會(huì)形成懸鍵,并觀察到了重新鍵合的現(xiàn)象;之后使納米線完成了斷裂表面的接觸,發(fā)現(xiàn)了C-Si和Si-Si原子對(duì)間重新鍵合的現(xiàn)象,得到了自愈合后的納米線.通過對(duì)單原子的勢(shì)能變化進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)重新鍵合后的原子勢(shì)能會(huì)降低,而系統(tǒng)為了達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),會(huì)將懸鍵的勢(shì)能驅(qū)動(dòng)到最低,重新鍵合則是達(dá)到該狀態(tài)的最有效路徑,SiC納米線也因此完成了自愈合.
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