期刊在線咨詢服務(wù)，立即咨詢
購(gòu)物車(0)
FD-SOI:為5G和AIoT保駕護(hù)航——第七屆上海FD-SOI論壇在上海召開(kāi)
黃友庚 不詳
關(guān)鍵詞：上海 半導(dǎo)體制造工藝 論壇 護(hù)航 5g
摘要：FD-SOI作為一種特殊的半導(dǎo)體制造工藝,其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于:第一、能夠大大減小寄生電容,提高運(yùn)行速度,與硅材料相比,SOI器件的頻率提高了20%~35%;第二、降低了漏電,具有更低的功耗;第三、消除了閂鎖效應(yīng);第四、抑制了襯底的脈沖電流干擾,減少了軟錯(cuò)誤的發(fā)生;第五、與現(xiàn)有硅工藝兼容,可減少13%~ 20%的工序等。
中國(guó)集成電路雜志要求:
{1}稿件應(yīng)包括作者姓名、單位、職稱、聯(lián)系電話、通訊地址、電郵地址。
{2}提倡一稿專投、反對(duì)一文多用，凡已在公開(kāi)出版物、互聯(lián)網(wǎng)上發(fā)表的文章，一律不予以采用。
{3}文章大標(biāo)題不超過(guò)20字，要簡(jiǎn)明、具體、可以概括全文，特別有必要的時(shí)候可以加副標(biāo)題。
{4}參考文獻(xiàn)：論文中直接或間接引用他人研究成果的，均需標(biāo)注參考文獻(xiàn)。
{5}摘要中文摘要400～500字，必須標(biāo)明：目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4部分，有對(duì)應(yīng)的英文，英文摘要須包括：OBJECTIVE,METHODS,RESULTS,CONCLUSIONS。最好將本文創(chuàng)新點(diǎn)寫(xiě)在結(jié)論部分。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
