久热精品在线视频,思思96精品国产,午夜国产人人精品一区,亚洲成在线a

<s id="x4lik"><u id="x4lik"></u></s>

      <strong id="x4lik"><u id="x4lik"></u></strong>

      FD-SOI:為5G和AIoT保駕護航——第七屆上海FD-SOI論壇在上海召開

      黃友庚 不詳

      關(guān)鍵詞:上海 半導(dǎo)體制造工藝 論壇 護航 5g 

      摘要:FD-SOI作為一種特殊的半導(dǎo)體制造工藝,其獨特的技術(shù)優(yōu)勢在于:第一、能夠大大減小寄生電容,提高運行速度,與硅材料相比,SOI器件的頻率提高了20%~35%;第二、降低了漏電,具有更低的功耗;第三、消除了閂鎖效應(yīng);第四、抑制了襯底的脈沖電流干擾,減少了軟錯誤的發(fā)生;第五、與現(xiàn)有硅工藝兼容,可減少13%~ 20%的工序等。

      中國集成電路雜志要求:

      {1}稿件應(yīng)包括作者姓名、單位、職稱、聯(lián)系電話、通訊地址、電郵地址。

      {2}提倡一稿專投、反對一文多用,凡已在公開出版物、互聯(lián)網(wǎng)上發(fā)表的文章,一律不予以采用。

      {3}文章大標(biāo)題不超過20字,要簡明、具體、可以概括全文,特別有必要的時候可以加副標(biāo)題。

      {4}參考文獻:論文中直接或間接引用他人研究成果的,均需標(biāo)注參考文獻。

      {5}摘要中文摘要400~500字,必須標(biāo)明:目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4部分,有對應(yīng)的英文,英文摘要須包括:OBJECTIVE,METHODS,RESULTS,CONCLUSIONS。最好將本文創(chuàng)新點寫在結(jié)論部分。

      注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社

      中國集成電路

      部級期刊
      1個月內(nèi)下單

      關(guān)注 15人評論|0人關(guān)注
      服務(wù)與支付