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      高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對(duì)腦梗死大鼠缺血半暗帶超微結(jié)構(gòu)及腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子表達(dá)的影響

      黃杰; 馬玉娟; 方征宇; 種玉飛; 隨燕芳; 尤春景 華中科技大學(xué)同濟(jì)醫(yī)學(xué)院附屬同濟(jì)醫(yī)院康復(fù)醫(yī)學(xué)科; 武漢430030

      關(guān)鍵詞:腦梗死 高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激 超微結(jié)構(gòu) 腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子 

      摘要:目的觀察不同強(qiáng)度高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)對(duì)腦梗死大鼠缺血半暗帶超微結(jié)構(gòu)及腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子(BDNF)表達(dá)的影響。方法將42只SD大鼠分為正常組、模型組、假刺激組及rTMS組,其中rTMS組按不同刺激強(qiáng)度又細(xì)分為80%運(yùn)動(dòng)閾值(MT)組、100%MT組及120%MT組。將模型組、假刺激組、rTMS組制成右側(cè)大腦中動(dòng)脈栓塞模型,rTMS組各亞組大鼠于制模24h后分別給予不同強(qiáng)度20HzrTMS刺激,假刺激組大鼠給予假性磁刺激,模型組于制模后未給予其他特殊處理。于實(shí)驗(yàn)進(jìn)行14d后采用透射電鏡、免疫組化及免疫印跡(WB)技術(shù)觀察各組大鼠缺血半暗帶超微結(jié)構(gòu)及BDNF表達(dá)。結(jié)果通過(guò)電鏡觀察發(fā)現(xiàn),rTMS組各亞組大鼠缺血半暗帶區(qū)超微結(jié)構(gòu)損傷明顯輕于模型組及假刺激組;通過(guò)WB技術(shù)檢測(cè)發(fā)現(xiàn),100%MT組和正常組BDNF光密度值均較假刺激組明顯增高(P〈0.05),正常組和rTMS組各亞組BDNF光密度值雖然也高于模型組,但組間差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P〉0.05);通過(guò)免疫組化技術(shù)檢測(cè)發(fā)現(xiàn),各組大鼠BDNF陽(yáng)性光密度值組間差異均無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P〉0.05)。結(jié)論20Hz、特定強(qiáng)度(尤其是100%MT)rTMS能促進(jìn)腦梗死大鼠缺血半暗帶超微結(jié)構(gòu)修復(fù)及BDNF表達(dá),這可能是磁刺激治療缺血性腦卒中的重要機(jī)制之一。

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